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三探针法

四探针法通常用来测量半导体的电阻率.四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要校准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法校准.

三琦高温四探针夹具是依据电性能测量四探针方法、并针对高温环境进行设计.由四个独立的探针调节装置、高温高频探针、调节支撑架、样品平台、隔热层、接线盒组成.1. 探针调节装置具有三维精确调节功能,精确定位探针的位置;2. 探针调节装置具有粗调功能,有效增大探针的调节范围;3. 探针调节装置带探针压力调节功能,确保探针与样品的良好接触,又不损伤样品;4. 探针采用带同轴屏蔽层设计,减少电磁对测量的干扰;5. 探针电极选用铂铱合金,有效减少接触电阻,并具有良好的高温抗氧化能力;

1.能否用四探针法测量n/n+外延片及p/p+外延片外延层的电阻率?答:不能用四探针法测量同型外延片.2.能否用四探针法测量n/p外延片外延层的电阻率?答:能用四探针法测量异型外延片.3.为什么测量单晶样品电阻率时测试平面要求为毛面,而测试扩散片扩散层薄层电阻时测试面可为镜面?答:毛面较能保证金属探针与样品接触良好,所以测量单晶样品电阻率时测试平面要求为毛面."测试扩散片扩散层薄层电阻时测试面可为镜面"其实当扩散片的测试面也为毛面时,对测量更好,但做扩散前已经将表面抛光成了镜面,并且扩散之后的扩散层的厚度较小,故不适合再研磨或吹沙,所以只能测镜面.为了能使测量更准,就对探针的压力和针尖有不同“毛面”的要求.(供参考)

常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-V测量等.对于体单晶的电阻率测量,生产中应用最普遍的是四探针法;对于半导体晶片的

KDY1型四探针电阻率/方阻测试仪 使 用 说 明 书 广州市昆德科技有限公司 1、概述 KDY-1型四探针电阻率/方阻测试仪(以下简称电阻率测试仪)是用来测量半导体材料(主要是硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率,以及扩散层、外延层、ITO导

1. 四探针法测电阻率可以用三琦高温四探针测量系统测试.2. 四探针法测电阻率其实从专业角度来说,就是使用三琦高温四探针测量系统来测量.该系统包括高温测试平台、高温四探针夹具、阻率测试仪和高温电阻率测量软件.

免疫组织化学、免疫荧光可以达到目的了.免疫组化可以看出蛋白在细胞核、细胞浆或细胞间质.如果要定位到比较大细胞器可能需要免疫荧光,用特异蛋白抗体和细胞器抗体共染;在特殊显微镜比如激光共聚焦显微镜应该是可以看到的.不知道你的探针法是什么探针,如果是RNA探针,达不到定位的效果,因为检测mRNA都是胞浆中.

就是用探针与被测件接触,方便插拔非常简易的一种检测或调试方式,充分接触电气性能比较稳定.是现在比较常用的连接方式.

你好,我个人觉得薄膜半导体比较有发展潜力的因为其廉价的生产成本和相对简单的工艺技术现在待解决的问题就是批量生产的稳定性,至于说In元素缺乏什么的,你可以不用考虑

测量半导体电阻率的方法很多,按是否与样品接触可以分为两类,即接触式和非接触式.常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-V测量等.对于体单晶的电阻率测量,生产中应用最普遍的是四探针法;对于半导体晶片的电阻率测量,微波法等非接触式测量方法由于使用方便、不损坏样品,因而应用也越来越多. 希望对您有帮助.

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